Fabryka za 4 mld USD wymaga precyzyjnej infrastruktury

W West Lafayette powstanie centrum produkcji pamięci HBM, w tym linia zaawansowanego pakowania i testowania układów oraz zaplecze badawczo-rozwojowe.

HBM to moduły złożone z kilku połączonych pionowo układów DRAM. Taka konstrukcja zwiększa przepustowość i pozwala szybciej przesyłać dane. Wafle półprzewodnikowe będą wytwarzane w Korei Południowej, a następnie dostarczane do Indiany, gdzie przejdą pakowanie i testy.

Płytka półprzewodnikowa wyjmowana z urządzenia procesowego – zdjęcie ilustracyjne. Fot. Purdue Engineering/Wiki Commons; kadrowanie: redakcja

Cleanroom wyznacza harmonogram budowy

Zakres prac koordynatora obejmuje:

• koordynację projektowania i montażu urządzeń produkcyjnych,
• kontrolę kosztów, harmonogramu i ryzyka,
• nadzór nad jakością i bezpieczeństwem robót,
• współpracę wykonawców oraz dostawców z USA i Korei Południowej.

Największym wyzwaniem będzie zsynchronizowanie robót budowlanych z wykonaniem pomieszczeń czystych oraz instalacji zasilających proces produkcyjny. Zakład wymaga rozbudowanych systemów elektroenergetycznych, wodnych, gazów technologicznych, wentylacji i odprowadzania zanieczyszczeń.

Budowa rozpoczęła się w marcu 2026 r., a oficjalne rozpoczęcie inwestycji ogłoszono 27 sierpnia. Strefa cleanroom ma być gotowa w październiku 2028 r. Produkcja pamięci HBM przeznaczonych dla amerykańskich odbiorców ma ruszyć w drugiej połowie 2029 r.

Projekt otrzymał do 458 mln USD bezpośredniego wsparcia federalnego oraz możliwość skorzystania z pożyczek do 500 mln USD w ramach programu CHIPS for America.

Przeczytaj także: Nowe reaktory SMR w USA. Zielone światło dla głębokich wykopów i ścian szczelinowych